Справочник MOSFET. PHK12NQ03L

 

PHK12NQ03L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHK12NQ03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PHK12NQ03L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:823K  cn vbsemi
 phk12nq03l.pdf pdf_icon

PHK12NQ03L

PHK12NQ03Lwww.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZXMP10A17E6 | BFC16 | TK40A08K3 | SI1402DH | 2N4338 | PSMN4R1-30YLC | KND3302A

 

 
Back to Top

 


 
.