RFP6P08 Todos los transistores

 

RFP6P08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RFP6P08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 11.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 67 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1671(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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RFP6P08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  cn vbsemi
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RFP6P08

RFP6P08www.VBsemi.comP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.167 at VGS = - 10 V- 18- 100 37 100 % Rg and UIS Tested0.180 at VGS = - 4.5 V - 14 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB Power Switch

Otros transistores... P0603BVG , P120NF10 , P60NF06 , P80NF55-08 , PHB32N06 , PHD78NQ03L , PHK12NQ03L , RFD15P05SM , IRF740 , RJK0822SPN , RRS130N03 , RSS100N03T , SDM4953A , SI1539CDL-T1 , SI1553CDL-T1-GE3 , SI1555DL-T1 , SI1967DH-T1-GE3 .

History: NCE65T130 | SI2321DS | SIF160N040

 

 
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