Справочник MOSFET. RFP6P08

 

RFP6P08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RFP6P08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1671(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP6P08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  cn vbsemi
 rfp6p08.pdf pdf_icon

RFP6P08

RFP6P08www.VBsemi.comP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.)Definition TrenchFET Power MOSFET0.167 at VGS = - 10 V- 18- 100 37 100 % Rg and UIS Tested0.180 at VGS = - 4.5 V - 14 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB Power Switch

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: ZXMS6005DGQ-13 | SFU9214 | SQJA00EP | 2SK2889B | IRFI624GPBF | VBMB1606 | STW75NF20

 

 
Back to Top

 


 
.