SI1539CDL-T1 Todos los transistores

 

SI1539CDL-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI1539CDL-T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.17 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.03 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.090(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SC70-6
 

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SI1539CDL-T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:889K  cn vbsemi
 si1539cdl-t1.pdf pdf_icon

SI1539CDL-T1

SI1539CDL-T1www.VBsemi.twN- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.090 at VGS = 4.5 V 3.28 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V RatedN-Channel 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.13 Thermally Enhanced SC-70 Package0.130 at VGS = 1.8 V 1.50 Fast Switching0.155 at VGS = - 4.5

 5.1. Size:238K  vishay
 si1539cdl.pdf pdf_icon

SI1539CDL-T1

Si1539CDLVishay SiliconixN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.388 at VGS = 10 V 0.7 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 30 0.550.525 at VGS = 4.5 V 0.6 100 % Rg Tested0.890 at VGS = - 10 V - 0.5P-Channel - 30 0.8 APPLICATIONS1.7 at VGS = - 4.5

Otros transistores... PHD78NQ03L , PHK12NQ03L , RFD15P05SM , RFP6P08 , RJK0822SPN , RRS130N03 , RSS100N03T , SDM4953A , 50N06 , SI1553CDL-T1-GE3 , SI1555DL-T1 , SI1967DH-T1-GE3 , SI2300BDS-T1-GE3 , SI2300DS-T1-GE3 , SI2301ADS-T1 , SI2301BDS-T1-GE3 , SI2301CDS-T1 .

History: HRD13N10K | NCE8580

 

 
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