SI1539CDL-T1 Todos los transistores

 

SI1539CDL-T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI1539CDL-T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.17 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.03 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.090 typ Ohm

Encapsulados: SC70-6

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SI1539CDL-T1 datasheet

 ..1. Size:889K  cn vbsemi
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SI1539CDL-T1

SI1539CDL-T1 www.VBsemi.tw N- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.090 at VGS = 4.5 V 3.28 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated N-Channel 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.13 Thermally Enhanced SC-70 Package 0.130 at VGS = 1.8 V 1.50 Fast Switching 0.155 at VGS = - 4.5

 5.1. Size:238K  vishay
 si1539cdl.pdf pdf_icon

SI1539CDL-T1

Si1539CDL Vishay Siliconix N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.388 at VGS = 10 V 0.7 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 30 0.55 0.525 at VGS = 4.5 V 0.6 100 % Rg Tested 0.890 at VGS = - 10 V - 0.5 P-Channel - 30 0.8 APPLICATIONS 1.7 at VGS = - 4.5

Otros transistores... PHD78NQ03L , PHK12NQ03L , RFD15P05SM , RFP6P08 , RJK0822SPN , RRS130N03 , RSS100N03T , SDM4953A , 50N06 , SI1553CDL-T1-GE3 , SI1555DL-T1 , SI1967DH-T1-GE3 , SI2300BDS-T1-GE3 , SI2300DS-T1-GE3 , SI2301ADS-T1 , SI2301BDS-T1-GE3 , SI2301CDS-T1 .

History: STM4800S | AGM405F | 2SK1228 | IRF7307 | P120NF10 | FCP099N65S3 | 2SK3705

 

 

 

 

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