Справочник MOSFET. SI1539CDL-T1

 

SI1539CDL-T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI1539CDL-T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.03 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.090(typ) Ohm
   Тип корпуса: SC70-6
 

 Аналог (замена) для SI1539CDL-T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1539CDL-T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:889K  cn vbsemi
 si1539cdl-t1.pdf pdf_icon

SI1539CDL-T1

SI1539CDL-T1www.VBsemi.twN- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.090 at VGS = 4.5 V 3.28 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V RatedN-Channel 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.13 Thermally Enhanced SC-70 Package0.130 at VGS = 1.8 V 1.50 Fast Switching0.155 at VGS = - 4.5

 5.1. Size:238K  vishay
 si1539cdl.pdf pdf_icon

SI1539CDL-T1

Si1539CDLVishay SiliconixN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.388 at VGS = 10 V 0.7 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 30 0.550.525 at VGS = 4.5 V 0.6 100 % Rg Tested0.890 at VGS = - 10 V - 0.5P-Channel - 30 0.8 APPLICATIONS1.7 at VGS = - 4.5

Другие MOSFET... PHD78NQ03L , PHK12NQ03L , RFD15P05SM , RFP6P08 , RJK0822SPN , RRS130N03 , RSS100N03T , SDM4953A , 50N06 , SI1553CDL-T1-GE3 , SI1555DL-T1 , SI1967DH-T1-GE3 , SI2300BDS-T1-GE3 , SI2300DS-T1-GE3 , SI2301ADS-T1 , SI2301BDS-T1-GE3 , SI2301CDS-T1 .

History: RUH120N35M3 | SST70R1K2S2E | SIR422DP-T1-GE3 | WM06N03FB | IRFBA1404P | SSL60R099SFD | SJMN380R80ZB

 

 
Back to Top

 


 
.