SI1539CDL-T1 - описание и поиск аналогов

 

SI1539CDL-T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI1539CDL-T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.17 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.03 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.090 typ Ohm

Тип корпуса: SC70-6

Аналог (замена) для SI1539CDL-T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI1539CDL-T1 даташит

 ..1. Size:889K  cn vbsemi
 si1539cdl-t1.pdf pdf_icon

SI1539CDL-T1

SI1539CDL-T1 www.VBsemi.tw N- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.090 at VGS = 4.5 V 3.28 TrenchFET Power MOSFETs 1.8 V Rated N-Channel 20 0.110 at VGS = 2.5 V 2.13 Thermally Enhanced SC-70 Package 0.130 at VGS = 1.8 V 1.50 Fast Switching 0.155 at VGS = - 4.5

 5.1. Size:238K  vishay
 si1539cdl.pdf pdf_icon

SI1539CDL-T1

Si1539CDL Vishay Siliconix N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.388 at VGS = 10 V 0.7 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 30 0.55 0.525 at VGS = 4.5 V 0.6 100 % Rg Tested 0.890 at VGS = - 10 V - 0.5 P-Channel - 30 0.8 APPLICATIONS 1.7 at VGS = - 4.5

Другие MOSFET... PHD78NQ03L , PHK12NQ03L , RFD15P05SM , RFP6P08 , RJK0822SPN , RRS130N03 , RSS100N03T , SDM4953A , 50N06 , SI1553CDL-T1-GE3 , SI1555DL-T1 , SI1967DH-T1-GE3 , SI2300BDS-T1-GE3 , SI2300DS-T1-GE3 , SI2301ADS-T1 , SI2301BDS-T1-GE3 , SI2301CDS-T1 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.