SI2305DS-T1-GE3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI2305DS-T1-GE3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI2305DS-T1-GE3

SI2305DS-T1-GE3 Datasheet (PDF)

0.1. Size:866K cn vbsemi
si2305ds-t1-ge3.pdf

SI2305DS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICAT

5.1. Size:1000K kexin
si2305ds-3.pdf

SMD Type MOSFETSMD TypeP-Channel MOSFETSI2305DS (KI2305DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) = -8V RDS(ON)0.052 (VGS = -4.5V) RDS(ON)0.071 (VGS = -2.5V)1 2D +0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON)0.108 (VGS = -1.8V)+0.11.9-0.21. GateG 2. Source3. DrainS Absolute Maximum Ratings Ta

6.1. Size:185K vishay
si2305ds.pdf

Si2305DSVishay SiliconixP-Channel 1.25-W, 1.8-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.052 at VGS = - 4.5 V 3.5 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated0.071 at VGS = - 2.5 V - 8 30.108 at VGS = - 1.8 V 2TO-236 (SOT-23) G 1 3 D S 2 Top View Si2305DS (A5)* * Mark

6.2. Size:999K kexin
si2305ds.pdf

SMD Type MOSFETSMD TypeP-Channel MOSFETSI2305DS (KI2305DS)SOT-23Unit: mm2.9+0.1-0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = -8V RDS(ON)0.052 (VGS = -4.5V)1 2 RDS(ON)0.071 (VGS = -2.5V)D +0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01 RDS(ON)0.108 (VGS = -1.8V) +0.11.9 -0.11. Gate2. SourceG 3. DrainS Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CHM9952AJGP

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: