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SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI2309CDS-T1-GE3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 typ Ohm

Encapsulados: SOT23

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SI2309CDS-T1-GE3 datasheet

 0.1. Size:2454K  cn vbsemi
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SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3 www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.04 RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 12 P-Channel Qgs (nC) 3.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 5.1 Dyn

 5.1. Size:202K  vishay
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SI2309CDS-T1-GE3

New Product Si2309CDS Vishay Siliconix P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.345 at VGS = - 10 V - 1.6 - 60 2.7 nC 0.450 at VGS = - 4.5 V - 1.4 APPLICATIONS Load Switch TO-236 (SOT-23) G 1 3 D S S 2 G Top View Si2309CDS (N9)* * Marking Code D O

 6.1. Size:199K  vishay
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SI2309CDS-T1-GE3

New Product Si2309CDS Vishay Siliconix P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.345 at VGS = - 10 V - 1.6 - 60 2.7 nC 0.450 at VGS = - 4.5 V - 1.4 APPLICATIONS Load Switch TO-236 (SOT-23) G 1 3 D S S 2 G Top View Si2309CDS (N9)* * Marking Code D O

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History: MMBT7002KW | ME2602 | SI2345DS | AO3459 | 16N60B | SMK1350F | AGM612MBP

 

 

 

 

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