SI2309CDS-T1-GE3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI2309CDS-T1-GE3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI2309CDS-T1-GE3

SI2309CDS-T1-GE3 Datasheet (PDF)

0.1. Size:2454K cn vbsemi
si2309cds-t1-ge3.pdf

SI2309CDS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;f = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.04RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 12 P-ChannelQgs (nC) 3.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 5.1 Dyn

5.1. Size:202K vishay
si2309cds.pdf

New ProductSi2309CDSVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.345 at VGS = - 10 V - 1.6- 60 2.7 nC0.450 at VGS = - 4.5 V - 1.4APPLICATIONS Load SwitchTO-236(SOT-23)G 13 DSS 2GTop ViewSi2309CDS (N9)** Marking CodeDO

6.1. Size:199K vishay
si2309cd.pdf

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Liste

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