SI2309CDS-T1-GE3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI2309CDS-T1-GE3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 typ Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SI2309CDS-T1-GE3
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI2309CDS-T1-GE3 даташит
si2309cds-t1-ge3.pdf
SI2309CDS-T1-GE3 www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.04 RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 12 P-Channel Qgs (nC) 3.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 5.1 Dyn
si2309cds.pdf
New Product Si2309CDS Vishay Siliconix P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.345 at VGS = - 10 V - 1.6 - 60 2.7 nC 0.450 at VGS = - 4.5 V - 1.4 APPLICATIONS Load Switch TO-236 (SOT-23) G 1 3 D S S 2 G Top View Si2309CDS (N9)* * Marking Code D O
si2309cd.pdf
New Product Si2309CDS Vishay Siliconix P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.345 at VGS = - 10 V - 1.6 - 60 2.7 nC 0.450 at VGS = - 4.5 V - 1.4 APPLICATIONS Load Switch TO-236 (SOT-23) G 1 3 D S S 2 G Top View Si2309CDS (N9)* * Marking Code D O
Другие MOSFET... SI2301BDS-T1-GE3 , SI2301CDS-T1 , SI2301DS-T1-GE3 , SI2302CDS-T1-GE3 , SI2302DS-T1-GE3 , SI2305ADS-T1-GE3 , SI2305CDS-T1-GE3 , SI2305DS-T1-GE3 , 2N7000 , SI2312BDS-T1 , SI2312CDS-T1-GE3 , SI2324DS-T1-GE3 , SI2333CDS-T1-GE3 , SI2333DDS-T1 , SI2333DS-T1-GE3 , SI2335DS-T1 , SI2342DS-T1 .
History: 2N6788U | SGS100MA010D1 | IPA60R280CFD7 | IRF3305B | 2SK1201 | FTP04N65 | MTD20N06HDLT4G
History: 2N6788U | SGS100MA010D1 | IPA60R280CFD7 | IRF3305B | 2SK1201 | FTP04N65 | MTD20N06HDLT4G
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a



