SI2309CDS-T1-GE3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI2309CDS-T1-GE3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05(typ) Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SI2309CDS-T1-GE3
SI2309CDS-T1-GE3 Datasheet (PDF)
si2309cds-t1-ge3.pdf

SI2309CDS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;f = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.04RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 12 P-ChannelQgs (nC) 3.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 5.1 Dyn
si2309cds.pdf

New ProductSi2309CDSVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.345 at VGS = - 10 V - 1.6- 60 2.7 nC0.450 at VGS = - 4.5 V - 1.4APPLICATIONS Load SwitchTO-236(SOT-23)G 13 DSS 2GTop ViewSi2309CDS (N9)** Marking CodeDO
si2309cd.pdf

New ProductSi2309CDSVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.345 at VGS = - 10 V - 1.6- 60 2.7 nC0.450 at VGS = - 4.5 V - 1.4APPLICATIONS Load SwitchTO-236(SOT-23)G 13 DSS 2GTop ViewSi2309CDS (N9)** Marking CodeDO
Другие MOSFET... SI2301BDS-T1-GE3 , SI2301CDS-T1 , SI2301DS-T1-GE3 , SI2302CDS-T1-GE3 , SI2302DS-T1-GE3 , SI2305ADS-T1-GE3 , SI2305CDS-T1-GE3 , SI2305DS-T1-GE3 , IRF9540 , SI2312BDS-T1 , SI2312CDS-T1-GE3 , SI2324DS-T1-GE3 , SI2333CDS-T1-GE3 , SI2333DDS-T1 , SI2333DS-T1-GE3 , SI2335DS-T1 , SI2342DS-T1 .
History: AP3P7R0EJB | GSM4946BW | NTD65N03R-035 | NTD80N02 | RFP8P10 | RFP8P06E | NDP08N60ZG
History: AP3P7R0EJB | GSM4946BW | NTD65N03R-035 | NTD80N02 | RFP8P10 | RFP8P06E | NDP08N60ZG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a