SI2333CDS-T1-GE3 Todos los transistores

 

SI2333CDS-T1-GE3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI2333CDS-T1-GE3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 typ Ohm

Encapsulados: SOT23

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SI2333CDS-T1-GE3 datasheet

 0.1. Size:866K  cn vbsemi
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SI2333CDS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3 www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICA

 4.1. Size:1947K  kexin
si2333cds-3.pdf pdf_icon

SI2333CDS-T1-GE3

SMD Type MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET SI2333CDS (KI2333CDS) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 VDS (V) =-12V ID =-5.1A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 35m (VGS =-4.5V) 1 2 +0.02 +0.1 RDS(ON) 45m (VGS =-2.5V) 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9-0.2 RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V) G 1 3 D 1. Gate 2. Source S 2 3. D

 5.1. Size:224K  vishay
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SI2333CDS-T1-GE3

Si2333CDS Vishay Siliconix P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 4.5 V - 5.1 TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.045 at VGS = - 2.5 V - 4.5 9 nC - 12 0.059 at VGS = - 1.8 V - 3.9 APPLICATIONS Load Switc

 5.2. Size:1947K  kexin
si2333cds ki2333cds.pdf pdf_icon

SI2333CDS-T1-GE3

SMD Type MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET SI2333CDS (KI2333CDS) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 VDS (V) =-12V ID =-5.1A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 35m (VGS =-4.5V) 1 2 +0.02 +0.1 RDS(ON) 45m (VGS =-2.5V) 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9-0.2 RDS(ON) 59m (VGS =-1.8V) G 1 3 D 1. Gate 2. Source S 2 3. D

Otros transistores... SI2302DS-T1-GE3 , SI2305ADS-T1-GE3 , SI2305CDS-T1-GE3 , SI2305DS-T1-GE3 , SI2309CDS-T1-GE3 , SI2312BDS-T1 , SI2312CDS-T1-GE3 , SI2324DS-T1-GE3 , IRFP250N , SI2333DDS-T1 , SI2333DS-T1-GE3 , SI2335DS-T1 , SI2342DS-T1 , SI2351DS-T1 , SI2399DS-T1 , SI3911DV-T1 , SI4401BDY-T1 .

History: CM10N60AZ | 2N6796U

 

 

 


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