SI4401BDY-T1 Todos los transistores

 

SI4401BDY-T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4401BDY-T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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SI4401BDY-T1 datasheet

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SI4401BDY-T1

SI4401BDY-T1 www.VBsemi.tw P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested - 40 33 nC 0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S Load Switch POL SO-8 G SD

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SI4401BDY-T1

Si4401BDY Vishay Siliconix P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.014 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFET - 40 40 0.021 at VGS = - 4.5 V - 8.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 S 1 8 D S S D 2 7 S 3 6 D G G D 4

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SI4401BDY-T1

Si4401BDY Vishay Siliconix P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.014 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFET - 40 40 0.021 at VGS = - 4.5 V - 8.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 S 1 8 D S S D 2 7 S 3 6 D G G D 4

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SI4401BDY-T1

Si4401DDY Vishay Siliconix P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.015 at VGS = - 10 V - 16.1 TrenchFET Power MOSFET - 40 33 nC 0.022 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

Otros transistores... SI2333CDS-T1-GE3 , SI2333DDS-T1 , SI2333DS-T1-GE3 , SI2335DS-T1 , SI2342DS-T1 , SI2351DS-T1 , SI2399DS-T1 , SI3911DV-T1 , IRF4905 , SI4401DDY-T1-GE3 , SI4405DY-T1 , SI4410DY-T1 , SI4416DY , SI4421DY-T1 , SI4431CDY-T1-E3 , SI4435BDY , SI4435DY-T1-E3 .

 

 

 

 

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