SI4401BDY-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI4401BDY-T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 64 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4401BDY-T1

SI4401BDY-T1 Datasheet (PDF)

..1. Size:874K cn vbsemi
si4401bdy-t1.pdf

SI4401BDY-T1www.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD

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Si4401BDYVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.014 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFET- 40 400.021 at VGS = - 4.5 V - 8.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8S1 8 D SS D2 7S3 6 DGG D4

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Si4401DDYVishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.015 at VGS = - 10 V - 16.1 TrenchFET Power MOSFET- 40 33 nC0.022 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

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si4401dy.pdf

Si4401DYVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.0155 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFETs- 400.0225 at VGS = - 4.5 V - 8.7S SO-8 SD1 8 S D 2 7 G SD3 6 G D 4 5 Top View D Ordering Information: Si4401DY-T1-E3 (Lead (Pb

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si4401ddy-t1-ge3.pdf

SI4401DDY-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8G

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Liste

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