Справочник MOSFET. SI4401BDY-T1

 

SI4401BDY-T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4401BDY-T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для SI4401BDY-T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4401BDY-T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:874K  cn vbsemi
 si4401bdy-t1.pdf pdf_icon

SI4401BDY-T1

SI4401BDY-T1www.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD

 5.1. Size:248K  vishay
 si4401bdy.pdf pdf_icon

SI4401BDY-T1

Si4401BDYVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.014 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFET- 40 400.021 at VGS = - 4.5 V - 8.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8S1 8 D SS D2 7S3 6 DGG D4

 6.1. Size:246K  vishay
 si4401bd.pdf pdf_icon

SI4401BDY-T1

Si4401BDYVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.014 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFET- 40 400.021 at VGS = - 4.5 V - 8.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSO-8S1 8 D SS D2 7S3 6 DGG D4

 8.1. Size:251K  vishay
 si4401ddy.pdf pdf_icon

SI4401BDY-T1

Si4401DDYVishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.015 at VGS = - 10 V - 16.1 TrenchFET Power MOSFET- 40 33 nC0.022 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI2333CDS-T1-GE3 , SI2333DDS-T1 , SI2333DS-T1-GE3 , SI2335DS-T1 , SI2342DS-T1 , SI2351DS-T1 , SI2399DS-T1 , SI3911DV-T1 , IRF4905 , SI4401DDY-T1-GE3 , SI4405DY-T1 , SI4410DY-T1 , SI4416DY , SI4421DY-T1 , SI4431CDY-T1-E3 , SI4435BDY , SI4435DY-T1-E3 .

History: B640 | APT5010JVRU3 | 5N65G

 

 
Back to Top

 


 
.