SI4401BDY-T1 - описание и поиск аналогов

 

SI4401BDY-T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI4401BDY-T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для SI4401BDY-T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4401BDY-T1 даташит

 ..1. Size:874K  cn vbsemi
si4401bdy-t1.pdfpdf_icon

SI4401BDY-T1

SI4401BDY-T1 www.VBsemi.tw P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested - 40 33 nC 0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS S Load Switch POL SO-8 G SD

 5.1. Size:248K  vishay
si4401bdy.pdfpdf_icon

SI4401BDY-T1

Si4401BDY Vishay Siliconix P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.014 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFET - 40 40 0.021 at VGS = - 4.5 V - 8.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 S 1 8 D S S D 2 7 S 3 6 D G G D 4

 6.1. Size:246K  vishay
si4401bd.pdfpdf_icon

SI4401BDY-T1

Si4401BDY Vishay Siliconix P-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.014 at VGS = - 10 V - 10.5 TrenchFET Power MOSFET - 40 40 0.021 at VGS = - 4.5 V - 8.7 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC SO-8 S 1 8 D S S D 2 7 S 3 6 D G G D 4

 8.1. Size:251K  vishay
si4401ddy.pdfpdf_icon

SI4401BDY-T1

Si4401DDY Vishay Siliconix P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.015 at VGS = - 10 V - 16.1 TrenchFET Power MOSFET - 40 33 nC 0.022 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS

Другие MOSFET... SI2333CDS-T1-GE3 , SI2333DDS-T1 , SI2333DS-T1-GE3 , SI2335DS-T1 , SI2342DS-T1 , SI2351DS-T1 , SI2399DS-T1 , SI3911DV-T1 , IRF4905 , SI4401DDY-T1-GE3 , SI4405DY-T1 , SI4410DY-T1 , SI4416DY , SI4421DY-T1 , SI4431CDY-T1-E3 , SI4435BDY , SI4435DY-T1-E3 .

History: SW2N60D | MMBT7002VW | NVTFS5116PL | 30P06 | S15H12S | S40N09R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.