SI4947DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI4947DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 32 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 215 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI4947DY
SI4947DY Datasheet (PDF)
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Si4947DYDual P-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFETProduct SummaryVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.085 @ VGS = 10 V "3.530300.19 @ VGS = 4.5 V "2.5S1 S2SO-8S1 1 8 D1G1 G2G1 2 7 D1S2 3 6 D2G2 4 5 D2Top ViewD1 D2P-Channel MOSFET P-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 3
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SI4947DYwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vie
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Si4947ADYVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.080 at VGS = - 10 V - 3.9 TrenchFET Power MOSFETs - 300.135 at VGS = - 4.5 V - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top
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Si4947ADYVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.080 at VGS = - 10 V - 3.9 TrenchFET Power MOSFETs - 300.135 at VGS = - 4.5 V - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top
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SI4947ADYwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vi
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