SI4947DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI4947DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
SI4947DY Datasheet (PDF)
si4947dy.pdf
Si4947DYDual P-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFETProduct SummaryVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.085 @ VGS = 10 V "3.530300.19 @ VGS = 4.5 V "2.5S1 S2SO-8S1 1 8 D1G1 G2G1 2 7 D1S2 3 6 D2G2 4 5 D2Top ViewD1 D2P-Channel MOSFET P-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 3
si4947dy.pdf
SI4947DYwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vie
si4947ady.pdf
Si4947ADYVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.080 at VGS = - 10 V - 3.9 TrenchFET Power MOSFETs - 300.135 at VGS = - 4.5 V - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top
si4947ady.pdf
Si4947ADYVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.080 at VGS = - 10 V - 3.9 TrenchFET Power MOSFETs - 300.135 at VGS = - 4.5 V - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top
si4947ady.pdf
SI4947ADYwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vi
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918