Справочник MOSFET. SI4947DY

 

SI4947DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4947DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4947DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:53K  vishay
 si4947dy.pdf pdf_icon

SI4947DY

Si4947DYDual P-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFETProduct SummaryVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.085 @ VGS = 10 V "3.530300.19 @ VGS = 4.5 V "2.5S1 S2SO-8S1 1 8 D1G1 G2G1 2 7 D1S2 3 6 D2G2 4 5 D2Top ViewD1 D2P-Channel MOSFET P-Channel MOSFETAbsolute Maximum Ratings (TA = 25_C Unless Otherwise Noted)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 3

 ..2. Size:915K  cn vbsemi
 si4947dy.pdf pdf_icon

SI4947DY

SI4947DYwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vie

 8.1. Size:103K  1
 si4947ady.pdf pdf_icon

SI4947DY

Si4947ADYVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.080 at VGS = - 10 V - 3.9 TrenchFET Power MOSFETs - 300.135 at VGS = - 4.5 V - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top

 8.2. Size:241K  vishay
 si4947ady.pdf pdf_icon

SI4947DY

Si4947ADYVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.080 at VGS = - 10 V - 3.9 TrenchFET Power MOSFETs - 300.135 at VGS = - 4.5 V - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.