SI6913DQ-T1 Todos los transistores

 

SI6913DQ-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI6913DQ-T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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SI6913DQ-T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:855K  cn vbsemi
 si6913dq-t1.pdf pdf_icon

SI6913DQ-T1

SI6913DQ-T1www.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.036 at VGS = - 10 V - 5.2- 30RoHS0.055 at VGS = - 4.5 V - 4.2COMPLIANTAPPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS1 S2TSSOP-8G1 G2D1 1 D28S1 2 S27S1 3 S26G1 4 G25Top ViewD1 D2

 6.1. Size:216K  vishay
 si6913dq.pdf pdf_icon

SI6913DQ-T1

Si6913DQVishay SiliconixDual P-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Material categorization:0.021 at VGS = - 4.5 V For definitions of compliance please see- 5.8www.vishay.com/doc?999120.028 at VGS = - 2.5 V - 12 - 5.00.037 at VGS = - 1.8 V - 4.4APPLICATIONS Load Switch Battery Sw

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History: SJMN1K4R90ZD | IRFR4105 | IPP070N06NG

 

 
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