SI6913DQ-T1 Todos los transistores

 

SI6913DQ-T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI6913DQ-T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 typ Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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SI6913DQ-T1 datasheet

 ..1. Size:855K  cn vbsemi
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SI6913DQ-T1

SI6913DQ-T1 www.VBsemi.tw Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.036 at VGS = - 10 V - 5.2 - 30 RoHS 0.055 at VGS = - 4.5 V - 4.2 COMPLIANT APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S1 S2 TSSOP-8 G1 G2 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 Top View D1 D2

 6.1. Size:216K  vishay
 si6913dq.pdf pdf_icon

SI6913DQ-T1

Si6913DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Material categorization 0.021 at VGS = - 4.5 V For definitions of compliance please see - 5.8 www.vishay.com/doc?99912 0.028 at VGS = - 2.5 V - 12 - 5.0 0.037 at VGS = - 1.8 V - 4.4 APPLICATIONS Load Switch Battery Sw

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History: AGM406MNA | CMT04N60GN220FP | SM6129NSU

 

 

 

 

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