Справочник MOSFET. SI6913DQ-T1

 

SI6913DQ-T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI6913DQ-T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для SI6913DQ-T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6913DQ-T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:855K  cn vbsemi
 si6913dq-t1.pdf pdf_icon

SI6913DQ-T1

SI6913DQ-T1www.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.036 at VGS = - 10 V - 5.2- 30RoHS0.055 at VGS = - 4.5 V - 4.2COMPLIANTAPPLICATIONS Load Switch Battery SwitchS1 S2TSSOP-8G1 G2D1 1 D28S1 2 S27S1 3 S26G1 4 G25Top ViewD1 D2

 6.1. Size:216K  vishay
 si6913dq.pdf pdf_icon

SI6913DQ-T1

Si6913DQVishay SiliconixDual P-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Material categorization:0.021 at VGS = - 4.5 V For definitions of compliance please see- 5.8www.vishay.com/doc?999120.028 at VGS = - 2.5 V - 12 - 5.00.037 at VGS = - 1.8 V - 4.4APPLICATIONS Load Switch Battery Sw

Другие MOSFET... SI4920DY-T1 , SI4944DY , SI4947DY , SI4948BEY-T1-E3 , SI4953ADY-T1-E3 , SI4953DY-T1-E3 , SI6423DQ-T1 , SI6435ADQ-T1 , IRFZ24N , SI7478DP-T1 , SI9410BDY-T1 , SI9933ADY , SI9948AEY-T1-E3 , SI9955DY , SIR422DP-T1-GE3 , SIR462DP-T1 , SIR802DP-T1-GE3 .

History: WMO26N65C4

 

 
Back to Top

 


 
.