SI6913DQ-T1 - описание и поиск аналогов

 

SI6913DQ-T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI6913DQ-T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 typ Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для SI6913DQ-T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI6913DQ-T1 даташит

 ..1. Size:855K  cn vbsemi
 si6913dq-t1.pdf pdf_icon

SI6913DQ-T1

SI6913DQ-T1 www.VBsemi.tw Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETs 0.036 at VGS = - 10 V - 5.2 - 30 RoHS 0.055 at VGS = - 4.5 V - 4.2 COMPLIANT APPLICATIONS Load Switch Battery Switch S1 S2 TSSOP-8 G1 G2 D1 1 D2 8 S1 2 S2 7 S1 3 S2 6 G1 4 G2 5 Top View D1 D2

 6.1. Size:216K  vishay
 si6913dq.pdf pdf_icon

SI6913DQ-T1

Si6913DQ Vishay Siliconix Dual P-Channel 12 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETs VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Material categorization 0.021 at VGS = - 4.5 V For definitions of compliance please see - 5.8 www.vishay.com/doc?99912 0.028 at VGS = - 2.5 V - 12 - 5.0 0.037 at VGS = - 1.8 V - 4.4 APPLICATIONS Load Switch Battery Sw

Другие MOSFET... SI4920DY-T1 , SI4944DY , SI4947DY , SI4948BEY-T1-E3 , SI4953ADY-T1-E3 , SI4953DY-T1-E3 , SI6423DQ-T1 , SI6435ADQ-T1 , TK10A60D , SI7478DP-T1 , SI9410BDY-T1 , SI9933ADY , SI9948AEY-T1-E3 , SI9955DY , SIR422DP-T1-GE3 , SIR462DP-T1 , SIR802DP-T1-GE3 .

History: SMK0850F | AO4614 | AO4423-L | AO4607 | 2N6661-2 | 2SK3575-Z | STD14NM50N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.