SI7478DP-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7478DP-T1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 47 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7478DP-T1
SI7478DP-T1 Datasheet (PDF)
si7478dp-t1.pdf
SI7478DP-T1www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.006 at VGS = 10 V 80 Material categorization:600.007 at VGS = 4.5 V 65DDFN5X6Top ViewTop View Bottom View1827G3645PIN1SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 2
si7478dp.pdf
Si7478DPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0075 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET600.0088 at VGS = 4.5 V New Low Thermal Resistance PowerPAK18.5Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedPowerPAK SO-8 S6.15 mm 5.15 mm
si7476dp.pdf
Si7476DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0053 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Power MOSFET400.0066 at VGS = 4.5 V 23 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm ProfilePowerPAK SO-8 DS6.15 mm 5.15 mm 1S
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