SI7478DP-T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI7478DP-T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 47 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006(typ) Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для SI7478DP-T1
SI7478DP-T1 Datasheet (PDF)
si7478dp-t1.pdf
SI7478DP-T1www.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.006 at VGS = 10 V 80 Material categorization:600.007 at VGS = 4.5 V 65DDFN5X6Top ViewTop View Bottom View1827G3645PIN1SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 2
si7478dp.pdf
Si7478DPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0075 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET600.0088 at VGS = 4.5 V New Low Thermal Resistance PowerPAK18.5Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedPowerPAK SO-8 S6.15 mm 5.15 mm
si7476dp.pdf
Si7476DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0053 at VGS = 10 V 25 TrenchFET Power MOSFET400.0066 at VGS = 4.5 V 23 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm ProfilePowerPAK SO-8 DS6.15 mm 5.15 mm 1S
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
