SI9410BDY-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI9410BDY-T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI9410BDY-T1

SI9410BDY-T1 Datasheet (PDF)

..1. Size:866K cn vbsemi
si9410bdy-t1.pdf

SI9410BDY-T1www.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

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8.1. Size:42K vishay
si9410dy.pdf

8.2. Size:1282K kexin
si9410dy.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI9410DY (KI9410DY)SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 7 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 30m (VGS = 10V) RDS(ON) 40m (VGS = 5V)1 Source 5 Drain RDS(ON) 50m (VGS = 4.5V)6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 Gate Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sou

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Liste

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