SI9410BDY-T1 Todos los transistores

 

SI9410BDY-T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI9410BDY-T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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SI9410BDY-T1 datasheet

 ..1. Size:866K  cn vbsemi
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SI9410BDY-T1

SI9410BDY-T1 www.VBsemi.tw N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12 20 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch

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SI9410BDY-T1

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SI9410BDY-T1

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET SI9410DY (KI9410DY) SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 7 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 30m (VGS = 10V) RDS(ON) 40m (VGS = 5V) 1 Source 5 Drain RDS(ON) 50m (VGS = 4.5V) 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sou

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History: SM2317PSA

 

 

 

 

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