Справочник MOSFET. SI9410BDY-T1

 

SI9410BDY-T1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI9410BDY-T1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для SI9410BDY-T1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9410BDY-T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:866K  cn vbsemi
 si9410bdy-t1.pdf pdf_icon

SI9410BDY-T1

SI9410BDY-T1www.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

 5.1. Size:245K  vishay
 si9410bdy.pdf pdf_icon

SI9410BDY-T1

 8.1. Size:42K  vishay
 si9410dy.pdf pdf_icon

SI9410BDY-T1

 8.2. Size:1282K  kexin
 si9410dy.pdf pdf_icon

SI9410BDY-T1

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI9410DY (KI9410DY)SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 7 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 30m (VGS = 10V) RDS(ON) 40m (VGS = 5V)1 Source 5 Drain RDS(ON) 50m (VGS = 4.5V)6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 Gate Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4947DY , SI4948BEY-T1-E3 , SI4953ADY-T1-E3 , SI4953DY-T1-E3 , SI6423DQ-T1 , SI6435ADQ-T1 , SI6913DQ-T1 , SI7478DP-T1 , 18N50 , SI9933ADY , SI9948AEY-T1-E3 , SI9955DY , SIR422DP-T1-GE3 , SIR462DP-T1 , SIR802DP-T1-GE3 , SM2300NSAC , SM3113NSUC .

History: FDME430NT | IRFS31N20DP | RUH120N90R

 

 
Back to Top

 


 
.