SI9933ADY Todos los transistores

 

SI9933ADY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI9933ADY

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 typ Ohm

Encapsulados: SO8

 Búsqueda de reemplazo de SI9933ADY MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SI9933ADY datasheet

 ..1. Size:68K  vishay
 si9933ady.pdf pdf_icon

SI9933ADY

 ..2. Size:915K  cn vbsemi
 si9933ady.pdf pdf_icon

SI9933ADY

SI9933ADY www.VBsemi.tw Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS Tested RoHS - 30 17 nC COMPLIANT 0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top Vi

 8.1. Size:97K  vishay
 si9933bdy.pdf pdf_icon

SI9933ADY

 8.2. Size:270K  vishay
 si9933cdy.pdf pdf_icon

SI9933ADY

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SI4948BEY-T1-E3 , SI4953ADY-T1-E3 , SI4953DY-T1-E3 , SI6423DQ-T1 , SI6435ADQ-T1 , SI6913DQ-T1 , SI7478DP-T1 , SI9410BDY-T1 , 4N60 , SI9948AEY-T1-E3 , SI9955DY , SIR422DP-T1-GE3 , SIR462DP-T1 , SIR802DP-T1-GE3 , SM2300NSAC , SM3113NSUC , SM4028NSUC-TRG .

History: STD64N4F6AG | 2SJ181S | CS3N50B4 | SI2301B | SM9998DSQG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.