Справочник MOSFET. SI9933ADY

 

SI9933ADY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI9933ADY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для SI9933ADY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9933ADY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  vishay
 si9933ady.pdf pdf_icon

SI9933ADY

 ..2. Size:915K  cn vbsemi
 si9933ady.pdf pdf_icon

SI9933ADY

SI9933ADYwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vi

 8.1. Size:97K  vishay
 si9933bdy.pdf pdf_icon

SI9933ADY

 8.2. Size:270K  vishay
 si9933cdy.pdf pdf_icon

SI9933ADY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4948BEY-T1-E3 , SI4953ADY-T1-E3 , SI4953DY-T1-E3 , SI6423DQ-T1 , SI6435ADQ-T1 , SI6913DQ-T1 , SI7478DP-T1 , SI9410BDY-T1 , 10N65 , SI9948AEY-T1-E3 , SI9955DY , SIR422DP-T1-GE3 , SIR462DP-T1 , SIR802DP-T1-GE3 , SM2300NSAC , SM3113NSUC , SM4028NSUC-TRG .

History: 18N10W | STFU16N65M2

 

 
Back to Top

 


 
.