SI9948AEY-T1-E3 Todos los transistores

 

SI9948AEY-T1-E3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI9948AEY-T1-E3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.054(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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SI9948AEY-T1-E3 Datasheet (PDF)

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SI9948AEY-T1-E3

SI9948AEY-T1-E3www.VBsemi.twDual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS TestedRoHS- 60 17 nCCOMPLIANT0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25

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History: SVS5N70MJ | G16P03 | 2SJ546 | NTD5865NLT4G | IRF152 | SGS35MA050D1 | JMSH1008PC

 

 
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