Справочник MOSFET. SI9948AEY-T1-E3

 

SI9948AEY-T1-E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI9948AEY-T1-E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для SI9948AEY-T1-E3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9948AEY-T1-E3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:869K  cn vbsemi
 si9948aey-t1-e3.pdf pdf_icon

SI9948AEY-T1-E3

SI9948AEY-T1-E3www.VBsemi.twDual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS TestedRoHS- 60 17 nCCOMPLIANT0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25

 6.1. Size:218K  vishay
 si9948ae.pdf pdf_icon

SI9948AEY-T1-E3

 9.1. Size:240K  vishay
 si9945ae.pdf pdf_icon

SI9948AEY-T1-E3

 9.2. Size:265K  vishay
 si9945bd.pdf pdf_icon

SI9948AEY-T1-E3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI4953ADY-T1-E3 , SI4953DY-T1-E3 , SI6423DQ-T1 , SI6435ADQ-T1 , SI6913DQ-T1 , SI7478DP-T1 , SI9410BDY-T1 , SI9933ADY , STF13NM60N , SI9955DY , SIR422DP-T1-GE3 , SIR462DP-T1 , SIR802DP-T1-GE3 , SM2300NSAC , SM3113NSUC , SM4028NSUC-TRG , SM4307PSKPC .

History: R6524KNZ | KIA10N80H-3P | SIRA14BDP

 

 
Back to Top

 


 
.