Справочник MOSFET. SI9948AEY-T1-E3

 

SI9948AEY-T1-E3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI9948AEY-T1-E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для SI9948AEY-T1-E3

 

 

SI9948AEY-T1-E3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:869K  cn vbsemi
 si9948aey-t1-e3.pdf

SI9948AEY-T1-E3 SI9948AEY-T1-E3

SI9948AEY-T1-E3www.VBsemi.twDual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS TestedRoHS- 60 17 nCCOMPLIANT0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25

 6.1. Size:218K  vishay
 si9948ae.pdf

SI9948AEY-T1-E3 SI9948AEY-T1-E3

 9.1. Size:240K  vishay
 si9945ae.pdf

SI9948AEY-T1-E3 SI9948AEY-T1-E3

 9.2. Size:265K  vishay
 si9945bd.pdf

SI9948AEY-T1-E3 SI9948AEY-T1-E3

 9.3. Size:268K  vishay
 si9945bdy.pdf

SI9948AEY-T1-E3 SI9948AEY-T1-E3

 9.4. Size:101K  vishay
 si9942dy.pdf

SI9948AEY-T1-E3 SI9948AEY-T1-E3

 9.5. Size:913K  cn vbsemi
 si9945aey-t1-e3.pdf

SI9948AEY-T1-E3 SI9948AEY-T1-E3

SI9945AEY-T1-E3www.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-

 9.6. Size:1512K  cn vbsemi
 si9945dy.pdf

SI9948AEY-T1-E3 SI9948AEY-T1-E3

SI9945DYwww.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Channel

 9.7. Size:947K  cn vbsemi
 si9945bdy-t1.pdf

SI9948AEY-T1-E3 SI9948AEY-T1-E3

SI9945BDY-T1www.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Cha

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top