Справочник MOSFET. SI9948AEY-T1-E3

 

SI9948AEY-T1-E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI9948AEY-T1-E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.054(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9948AEY-T1-E3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:869K  cn vbsemi
 si9948aey-t1-e3.pdf pdf_icon

SI9948AEY-T1-E3

SI9948AEY-T1-E3www.VBsemi.twDual P-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.059 at VGS = - 10 V - 5.3 100 % UIS TestedRoHS- 60 17 nCCOMPLIANT0.069 at VGS = - 4.5 V - 5.0APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25

 6.1. Size:218K  vishay
 si9948ae.pdf pdf_icon

SI9948AEY-T1-E3

 9.1. Size:240K  vishay
 si9945ae.pdf pdf_icon

SI9948AEY-T1-E3

 9.2. Size:265K  vishay
 si9945bd.pdf pdf_icon

SI9948AEY-T1-E3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: PDS4810 | IRFU024PBF | IAUC100N10S5N040 | STU601S | SQJB60EP | RFP10N12 | HAT3021R

 

 
Back to Top

 


 
.