FDB050AN06A0 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDB050AN06A0
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
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FDB050AN06A0 datasheet
fdb050an06a0 fdp050an06a0.pdf
February 2003 FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 5m Features Applications rDS(ON) = 4.3m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 61nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pul
fdp050an06a0 fdb050an06a0.pdf
FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 80 A, 5 m Features RDS(on) = 4.3 m ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 80 A Applications QG(tot) = 61 nC ( Typ.) @ VGS = 10 V Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU Low Miller Charge Battery Protection Circuit Low Qrr Body Diode Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
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