FDB050AN06A0. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FDB050AN06A0
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Аналог (замена) для FDB050AN06A0
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FDB050AN06A0 даташит
fdb050an06a0 fdp050an06a0.pdf
February 2003 FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 5m Features Applications rDS(ON) = 4.3m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 61nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pul
fdp050an06a0 fdb050an06a0.pdf
FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60 V, 80 A, 5 m Features RDS(on) = 4.3 m ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 80 A Applications QG(tot) = 61 nC ( Typ.) @ VGS = 10 V Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU Low Miller Charge Battery Protection Circuit Low Qrr Body Diode Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
Другие MOSFET... FDB035AN06A0 , FDB035N10A , STU407D , FDB039N06 , FDB045AN08A0 , FDB045AN08A0F085 , FDB047N10 , STU405DH , IRFB4227 , FDB060AN08A0 , FDB070AN06A0 , FDB075N15A , FDB082N15A , FDB088N08 , FDB110N15A , FDB120N10 , STU407DH .
History: 2SK2610 | IRFP332 | WNM4153
History: 2SK2610 | IRFP332 | WNM4153
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
2n1815 | 2sa1103 | 2sb435 | 2sc1096 | 2sc2058 | a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389


