Справочник MOSFET. FDB050AN06A0

 

FDB050AN06A0 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDB050AN06A0
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO263 D2PAK
 

 Аналог (замена) для FDB050AN06A0

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDB050AN06A0 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:564K  fairchild semi
 fdb050an06a0 fdp050an06a0.pdf pdf_icon

FDB050AN06A0

February 2003FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60V, 80A, 5mFeatures Applications rDS(ON) = 4.3m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A Motor / Body Load Control Qg(tot) = 61nC (Typ.), VGS = 10V ABS Systems Low Miller Charge Powertrain Management Low QRR Body Diode Injection Systems UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pul

 ..2. Size:901K  onsemi
 fdp050an06a0 fdb050an06a0.pdf pdf_icon

FDB050AN06A0

FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0N-Channel PowerTrench MOSFET60 V, 80 A, 5 mFeatures RDS(on) = 4.3 m ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 80 A Applications QG(tot) = 61 nC ( Typ.) @ VGS = 10 V Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU Low Miller Charge Battery Protection Circuit Low Qrr Body Diode Motor drives and Uninterruptible Power Supplies

Другие MOSFET... FDB035AN06A0 , FDB035N10A , STU407D , FDB039N06 , FDB045AN08A0 , FDB045AN08A0F085 , FDB047N10 , STU405DH , AON6414A , FDB060AN08A0 , FDB070AN06A0 , FDB075N15A , FDB082N15A , FDB088N08 , FDB110N15A , FDB120N10 , STU407DH .

History: SML6070AN | MTB30N06VL

 

 
Back to Top

 


 
.