SP8K1TB Todos los transistores

 

SP8K1TB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SP8K1TB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 typ Ohm

Encapsulados: SO8

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SP8K1TB datasheet

 ..1. Size:2178K  cn vbsemi
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SP8K1TB

SP8K1TB www.VBsemi.tw Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.8 30 15 nC 100 % UIS Tested 0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Set Top Box

Otros transistores... SIR462DP-T1 , SIR802DP-T1-GE3 , SM2300NSAC , SM3113NSUC , SM4028NSUC-TRG , SM4307PSKPC , SM4927BSKC , SM4953KC , IRF2807 , SP8M3-TB , SPD09N05 , SPN2054T252RG , SPN2302S23R , SPN3414S23RGB , SPN4412WS8RG , SPN4436S8R , SPN6561S26RGB .

History: SUD08P06-155 | SUD08P06-155L-E3 | SM4927BSKC | WMM15N80M3

 

 

 

 

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