Справочник MOSFET. SP8K1TB

 

SP8K1TB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SP8K1TB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для SP8K1TB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SP8K1TB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2178K  cn vbsemi
 sp8k1tb.pdf pdf_icon

SP8K1TB

SP8K1TBwww.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

Другие MOSFET... SIR462DP-T1 , SIR802DP-T1-GE3 , SM2300NSAC , SM3113NSUC , SM4028NSUC-TRG , SM4307PSKPC , SM4927BSKC , SM4953KC , IRFB31N20D , SP8M3-TB , SPD09N05 , SPN2054T252RG , SPN2302S23R , SPN3414S23RGB , SPN4412WS8RG , SPN4436S8R , SPN6561S26RGB .

History: HFS12N65U | APT1201R2BLL | ME15N10-G | WMK043N10LGS | SIA918EDJ | SFS06R06FF | HRLFS55N03K

 

 
Back to Top

 


 
.