SPN6561S26RGB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SPN6561S26RGB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.14 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
Carga de la puerta (Qg): 3.7 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.022(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SPN6561S26RGB
SPN6561S26RGB Datasheet (PDF)
spn6561s26rgb.pdf
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SPN6561S26RGBwww.VBsemi.twDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6.020 1.8 nC 100 % Rg Tested0.028 at VGS = 2.5 V 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6 D1 D 2 D Top View G1 D1 1 6
spn65t10.pdf
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SPN65T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS DC/DC Converter The SPN65T10 is the N-Channel enhancement mode Load Switch power field effect transistor which is produced using high SMPS Secondary Side Synchronous Rectifier cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devic
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
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Liste
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MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C