SPN6561S26RGB Todos los transistores

 

SPN6561S26RGB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPN6561S26RGB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
     - Selección de transistores por parámetros

 

SPN6561S26RGB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:881K  cn vbsemi
 spn6561s26rgb.pdf pdf_icon

SPN6561S26RGB

SPN6561S26RGBwww.VBsemi.twDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6.020 1.8 nC 100 % Rg Tested0.028 at VGS = 2.5 V 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6 D1 D 2 D Top View G1 D1 1 6

 9.1. Size:351K  syncpower
 spn65t10.pdf pdf_icon

SPN6561S26RGB

SPN65T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS DC/DC Converter The SPN65T10 is the N-Channel enhancement mode Load Switch power field effect transistor which is produced using high SMPS Secondary Side Synchronous Rectifier cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devic

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STB140NF55T4 | NCEP070N10GU | RJK0629DPK | 2SK2907-01 | WMQ46N03T1 | RUH1H130S | FDB6690S

 

 
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