Справочник MOSFET. SPN6561S26RGB

 

SPN6561S26RGB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPN6561S26RGB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для SPN6561S26RGB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN6561S26RGB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:881K  cn vbsemi
 spn6561s26rgb.pdf pdf_icon

SPN6561S26RGB

SPN6561S26RGBwww.VBsemi.twDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6.020 1.8 nC 100 % Rg Tested0.028 at VGS = 2.5 V 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6 D1 D 2 D Top View G1 D1 1 6

 9.1. Size:351K  syncpower
 spn65t10.pdf pdf_icon

SPN6561S26RGB

SPN65T10 N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION APPLICATIONS DC/DC Converter The SPN65T10 is the N-Channel enhancement mode Load Switch power field effect transistor which is produced using high SMPS Secondary Side Synchronous Rectifier cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devic

Другие MOSFET... SP8K1TB , SP8M3-TB , SPD09N05 , SPN2054T252RG , SPN2302S23R , SPN3414S23RGB , SPN4412WS8RG , SPN4436S8R , IRF730 , SPP3414S23RG , SPP6506S26R , SPP6507S26RGB , SPP80N03S2L , SQ9407EY-T1 , SSC8022GS6 , SSM2307G , ST2300S23RG .

History: SI9945DY | WMM037N10HGS | WML80R720S

 

 
Back to Top

 


 
.