SPP6506S26R Todos los transistores

 

SPP6506S26R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SPP6506S26R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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SPP6506S26R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1504K  cn vbsemi
 spp6506s26r.pdf pdf_icon

SPP6506S26R

SPP6506S26Rwww.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.075 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.100 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable

 8.1. Size:956K  cn vbsemi
 spp6507s26rgb.pdf pdf_icon

SPP6506S26R

SPP6507S26RGBwww.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.075 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.100 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portab

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