Справочник MOSFET. SPP6506S26R

 

SPP6506S26R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPP6506S26R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для SPP6506S26R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPP6506S26R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1504K  cn vbsemi
 spp6506s26r.pdf pdf_icon

SPP6506S26R

SPP6506S26Rwww.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.075 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.100 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable

 8.1. Size:956K  cn vbsemi
 spp6507s26rgb.pdf pdf_icon

SPP6506S26R

SPP6507S26RGBwww.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.075 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.100 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portab

Другие MOSFET... SPD09N05 , SPN2054T252RG , SPN2302S23R , SPN3414S23RGB , SPN4412WS8RG , SPN4436S8R , SPN6561S26RGB , SPP3414S23RG , NCEP15T14 , SPP6507S26RGB , SPP80N03S2L , SQ9407EY-T1 , SSC8022GS6 , SSM2307G , ST2300S23RG , ST2302MSRG , STD10NF06 .

History: JCS8N65V | IRFR020 | HCD70R910

 

 
Back to Top

 


 
.