Справочник MOSFET. SPP6506S26R

 

SPP6506S26R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPP6506S26R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.14 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5.2 nC
   Время нарастания (tr): 25 ns
   Выходная емкость (Cd): 45 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.075(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для SPP6506S26R

 

 

SPP6506S26R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1504K  cn vbsemi
 spp6506s26r.pdf

SPP6506S26R SPP6506S26R

SPP6506S26Rwww.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.075 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.100 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portable

 8.1. Size:956K  cn vbsemi
 spp6507s26rgb.pdf

SPP6506S26R SPP6506S26R

SPP6507S26RGBwww.VBsemi.twDual P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.075 at VGS = - 4.5V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET- 20 2.7 nC0.100 at VGS = - 2.5 V - 3.2 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Load Switch for Portab

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top