SQ9407EY-T1 Todos los transistores

 

SQ9407EY-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SQ9407EY-T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 334 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.050(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de SQ9407EY-T1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SQ9407EY-T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1487K  cn vbsemi
 sq9407ey-t1.pdf pdf_icon

SQ9407EY-T1

SQ9407EY-T1www.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.050RDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.060ID (A) per leg -8SSO-8S1 8 DGS D2 7S3 6 DG D4 5DTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PARA

 6.1. Size:258K  vishay
 sq9407ey.pdf pdf_icon

SQ9407EY-T1

SQ9407EYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 60 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.085 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.115 100 % Rg and UIS TestedID (A) - 4.6 Compliant to RoHS Directive 2

Otros transistores... SPN3414S23RGB , SPN4412WS8RG , SPN4436S8R , SPN6561S26RGB , SPP3414S23RG , SPP6506S26R , SPP6507S26RGB , SPP80N03S2L , STP65NF06 , SSC8022GS6 , SSM2307G , ST2300S23RG , ST2302MSRG , STD10NF06 , STD30PF03 , STD60NF3L , STD95NH02L .

History: NTP190N65S3HF | KIA2N60H-252 | HRS88N08K | IRFB7437PBF | NCE3008N | TMC8N65H | WMQ37N03T1

 

 
Back to Top

 


 
.