SQ9407EY-T1 - описание и поиск аналогов

 

SQ9407EY-T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SQ9407EY-T1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 334 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.050 typ Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для SQ9407EY-T1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SQ9407EY-T1 даташит

 ..1. Size:1487K  cn vbsemi
 sq9407ey-t1.pdf pdf_icon

SQ9407EY-T1

SQ9407EY-T1 www.VBsemi.tw P-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) -60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = -10 V 0.050 RDS(on) ( ) at VGS = -4.5 V 0.060 ID (A) per leg -8 S SO-8 S 1 8 D G S D 2 7 S 3 6 D G D 4 5 D Top View P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) PARA

 6.1. Size:258K  vishay
 sq9407ey.pdf pdf_icon

SQ9407EY-T1

SQ9407EY www.vishay.com Vishay Siliconix Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) - 60 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 10 V 0.085 AEC-Q101 Qualifiedc RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.115 100 % Rg and UIS Tested ID (A) - 4.6 Compliant to RoHS Directive 2

Другие MOSFET... SPN3414S23RGB , SPN4412WS8RG , SPN4436S8R , SPN6561S26RGB , SPP3414S23RG , SPP6506S26R , SPP6507S26RGB , SPP80N03S2L , IRFZ46N , SSC8022GS6 , SSM2307G , ST2300S23RG , ST2302MSRG , STD10NF06 , STD30PF03 , STD60NF3L , STD95NH02L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.