STT8205S Todos los transistores

 

STT8205S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STT8205S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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STT8205S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:877K  cn vbsemi
 stt8205s.pdf pdf_icon

STT8205S

STT8205Swww.VBsemi.twDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6.020 1.8 nC 100 % Rg Tested0.028 at VGS = 2.5 V 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6 D1 D 2 D Top View G1 D1 1 6 G 1

Otros transistores... SSC8022GS6 , SSM2307G , ST2300S23RG , ST2302MSRG , STD10NF06 , STD30PF03 , STD60NF3L , STD95NH02L , 2N7002 , SUD08P06-155 , SUD08P06-155L-E3 , SUD10P06-280L , SUD40N08 , SUP75N08-10 , SUU50N06-07L , TN0200K-T1 , TN0200TS .

History: BLP055N09G-B | IAUC80N04S6L032 | GSM2317 | SL10N10A | AP9416GM | IRFH9310

 

 
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