STT8205S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STT8205S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022(typ) Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для STT8205S
STT8205S Datasheet (PDF)
stt8205s.pdf

STT8205Swww.VBsemi.twDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6.020 1.8 nC 100 % Rg Tested0.028 at VGS = 2.5 V 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6 D1 D 2 D Top View G1 D1 1 6 G 1
Другие MOSFET... SSC8022GS6 , SSM2307G , ST2300S23RG , ST2302MSRG , STD10NF06 , STD30PF03 , STD60NF3L , STD95NH02L , 2N7002 , SUD08P06-155 , SUD08P06-155L-E3 , SUD10P06-280L , SUD40N08 , SUP75N08-10 , SUU50N06-07L , TN0200K-T1 , TN0200TS .
History: AOT15S60 | APT20M34BLL | 2N7002A | SFG10S10PF | SPS03N60C3 | FMP13N60E | IRFU024NPBF
History: AOT15S60 | APT20M34BLL | 2N7002A | SFG10S10PF | SPS03N60C3 | FMP13N60E | IRFU024NPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet