STT8205S - аналоги и даташиты транзистора

 

STT8205S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STT8205S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для STT8205S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT8205S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:877K  cn vbsemi
 stt8205s.pdf pdf_icon

STT8205S

STT8205Swww.VBsemi.twDual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6.020 1.8 nC 100 % Rg Tested0.028 at VGS = 2.5 V 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6 D1 D 2 D Top View G1 D1 1 6 G 1

Другие MOSFET... SSC8022GS6 , SSM2307G , ST2300S23RG , ST2302MSRG , STD10NF06 , STD30PF03 , STD60NF3L , STD95NH02L , STP65NF06 , SUD08P06-155 , SUD08P06-155L-E3 , SUD10P06-280L , SUD40N08 , SUP75N08-10 , SUU50N06-07L , TN0200K-T1 , TN0200TS .

History: VN4012L | IAUC120N04S6L009 | BSC0911ND | DMG3407SSN | WMJ10N100C2 | RU40L60L | SWD7N60K2F

 

 
Back to Top

 


 
.