STT8205S - описание и поиск аналогов

 

STT8205S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STT8205S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 typ Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для STT8205S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STT8205S даташит

 ..1. Size:877K  cn vbsemi
 stt8205s.pdf pdf_icon

STT8205S

STT8205S www.VBsemi.tw Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.022 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET 6.0 20 1.8 nC 100 % Rg Tested 0.028 at VGS = 2.5 V 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TSOP-6 D1 D 2 D Top View G1 D1 1 6 G 1

Другие MOSFET... SSC8022GS6 , SSM2307G , ST2300S23RG , ST2302MSRG , STD10NF06 , STD30PF03 , STD60NF3L , STD95NH02L , MMIS60R580P , SUD08P06-155 , SUD08P06-155L-E3 , SUD10P06-280L , SUD40N08 , SUP75N08-10 , SUU50N06-07L , TN0200K-T1 , TN0200TS .

History: STK0260D | IRFF9232 | MDV3605URH | SPB80N08S2L | 6888K | 2SK1172 | FMV23N50E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.