SUU50N06-07L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SUU50N06-07L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.010 typ Ohm
Encapsulados: TO251
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SUU50N06-07L datasheet
suu50n06-07l.pdf
SUU50N06-07L www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = 10 V 55 Material categorization 60 0.012 at VGS = 4.5 V 47 TO-251 D G S N-Channel MOSFET G D S Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Sy
suu50n03.pdf
SUU50N03-07 Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) 175_CMOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a, b 0.007 @ VGS =10V 25 30 30 0.010 @ VGS =4.5V 18 TO-251 D G and DRAIN-TAB G D S S Top View Order Number N-Channel MOSFET SUU50N03-07 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V V Gate-Source
Otros transistores... STD60NF3L , STD95NH02L , STT8205S , SUD08P06-155 , SUD08P06-155L-E3 , SUD10P06-280L , SUD40N08 , SUP75N08-10 , IRF730 , TN0200K-T1 , TN0200TS , TP0101TS-T1 , TPCA8036 , UT100N03L , UT2301G-AE3-R , UT2302G-AE3 , UT2302L-AE3 .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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