SUU50N06-07L - аналоги и даташиты транзистора

 

SUU50N06-07L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SUU50N06-07L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.010(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SUU50N06-07L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUU50N06-07L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:744K  cn vbsemi
 suu50n06-07l.pdf pdf_icon

SUU50N06-07L

SUU50N06-07Lwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 55 Material categorization:600.012 at VGS = 4.5 V 47TO-251DGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Sy

 7.1. Size:74K  vishay
 suu50n03.pdf pdf_icon

SUU50N06-07L

SUU50N03-07Vishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) 175_CMOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) () ID (A)a, b0.007 @ VGS =10V 2530300.010 @ VGS =4.5V 18TO-251DGand DRAIN-TABG D SSTop ViewOrder Number: N-Channel MOSFETSUU50N03-07ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 30VVGate-Source

Другие MOSFET... STD60NF3L , STD95NH02L , STT8205S , SUD08P06-155 , SUD08P06-155L-E3 , SUD10P06-280L , SUD40N08 , SUP75N08-10 , IRFP064N , TN0200K-T1 , TN0200TS , TP0101TS-T1 , TPCA8036 , UT100N03L , UT2301G-AE3-R , UT2302G-AE3 , UT2302L-AE3 .

History: FCP190N60 | IPA70R360P7S | SSF3002EG1 | AP10TN135H | FDMS2572 | 2SK3045 | 3SK108T

 

 
Back to Top

 


 
.