Справочник MOSFET. SUU50N06-07L

 

SUU50N06-07L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUU50N06-07L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.010(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для SUU50N06-07L

 

 

SUU50N06-07L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:744K  cn vbsemi
 suu50n06-07l.pdf

SUU50N06-07L SUU50N06-07L

SUU50N06-07Lwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 55 Material categorization:600.012 at VGS = 4.5 V 47TO-251DGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Sy

 7.1. Size:74K  vishay
 suu50n03.pdf

SUU50N06-07L SUU50N06-07L

SUU50N03-07Vishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) 175_CMOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) () ID (A)a, b0.007 @ VGS =10V 2530300.010 @ VGS =4.5V 18TO-251DGand DRAIN-TABG D SSTop ViewOrder Number: N-Channel MOSFETSUU50N03-07ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 30VVGate-Source

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: RFP45N06LE

 

 
Back to Top