SUU50N06-07L - описание и поиск аналогов

 

SUU50N06-07L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SUU50N06-07L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.010 typ Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SUU50N06-07L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SUU50N06-07L даташит

 ..1. Size:744K  cn vbsemi
 suu50n06-07l.pdf pdf_icon

SUU50N06-07L

SUU50N06-07L www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = 10 V 55 Material categorization 60 0.012 at VGS = 4.5 V 47 TO-251 D G S N-Channel MOSFET G D S Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Sy

 7.1. Size:74K  vishay
 suu50n03.pdf pdf_icon

SUU50N06-07L

SUU50N03-07 Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) 175_CMOSFET PRODUCT SUMMARY VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a, b 0.007 @ VGS =10V 25 30 30 0.010 @ VGS =4.5V 18 TO-251 D G and DRAIN-TAB G D S S Top View Order Number N-Channel MOSFET SUU50N03-07 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V V Gate-Source

Другие MOSFET... STD60NF3L , STD95NH02L , STT8205S , SUD08P06-155 , SUD08P06-155L-E3 , SUD10P06-280L , SUD40N08 , SUP75N08-10 , IRF730 , TN0200K-T1 , TN0200TS , TP0101TS-T1 , TPCA8036 , UT100N03L , UT2301G-AE3-R , UT2302G-AE3 , UT2302L-AE3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.