Справочник MOSFET. SUU50N06-07L

 

SUU50N06-07L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUU50N06-07L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.010(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для SUU50N06-07L

 

 

SUU50N06-07L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:744K  cn vbsemi
 suu50n06-07l.pdf

SUU50N06-07L SUU50N06-07L

SUU50N06-07Lwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 55 Material categorization:600.012 at VGS = 4.5 V 47TO-251DGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Sy

 7.1. Size:74K  vishay
 suu50n03.pdf

SUU50N06-07L SUU50N06-07L

SUU50N03-07Vishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) 175_CMOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) () ID (A)a, b0.007 @ VGS =10V 2530300.010 @ VGS =4.5V 18TO-251DGand DRAIN-TABG D SSTop ViewOrder Number: N-Channel MOSFETSUU50N03-07ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 30VVGate-Source

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top