SUU50N06-07L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SUU50N06-07L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 136 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 46 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 570 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.010(typ) Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для SUU50N06-07L
SUU50N06-07L Datasheet (PDF)
suu50n06-07l.pdf
SUU50N06-07Lwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 55 Material categorization:600.012 at VGS = 4.5 V 47TO-251DGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Sy
suu50n03.pdf
SUU50N03-07Vishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) 175_CMOSFETPRODUCT SUMMARYVDS (V) rDS(on) () ID (A)a, b0.007 @ VGS =10V 2530300.010 @ VGS =4.5V 18TO-251DGand DRAIN-TABG D SSTop ViewOrder Number: N-Channel MOSFETSUU50N03-07ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)Parameter Symbol Limit UnitDrain-Source Voltage VDS 30VVGate-Source
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SM6F24NSU
