VB1218X Todos los transistores

 

VB1218X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VB1218X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 316 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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VB1218X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1388K  cn vbsemi
 vb1218x.pdf pdf_icon

VB1218X

VB1218Xwww.VBsemi.comN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition= 4.5V 8 TrenchFET Gen III Power MOSFETat V0.015 GS 2010nC 100 % Rg Tested0.018 7at V = 2.5V GS 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD(SOT-23)G 1G3 D

Otros transistores... UT2302L-AE3 , UT2955G , UT6898G-S08-R , UT8205AG-AG6 , UTT25P10L , UTT80N10 , VB1102M , VB1106K , 10N60 , VB1240B , VB1240X , VB1330X , VB162KX , VB2140 , VB2290A , VB2658 , VB562K .

History: SHD218409B | GSM2604 | TSM1N50CT | 2SK2348 | NCE40H12I | FQA12P20 | MMBT7002K

 

 
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