Справочник MOSFET. VB1218X

 

VB1218X Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VB1218X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 316 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для VB1218X

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB1218X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1388K  cn vbsemi
 vb1218x.pdf pdf_icon

VB1218X

VB1218Xwww.VBsemi.comN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition= 4.5V 8 TrenchFET Gen III Power MOSFETat V0.015 GS 2010nC 100 % Rg Tested0.018 7at V = 2.5V GS 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD(SOT-23)G 1G3 D

Другие MOSFET... UT2302L-AE3 , UT2955G , UT6898G-S08-R , UT8205AG-AG6 , UTT25P10L , UTT80N10 , VB1102M , VB1106K , 10N60 , VB1240B , VB1240X , VB1330X , VB162KX , VB2140 , VB2290A , VB2658 , VB562K .

History: SSG4530C

 

 
Back to Top

 


 
.