VB1218X MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VB1218X
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 316 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015(typ) Ohm
Тип корпуса: SOT23
VB1218X Datasheet (PDF)
..1. Size:1388K cn vbsemi
vb1218x.pdf
vb1218x.pdf
VB1218Xwww.VBsemi.comN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition= 4.5V 8 TrenchFET Gen III Power MOSFETat V0.015 GS 2010nC 100 % Rg Tested0.018 7at V = 2.5V GS 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD(SOT-23)G 1G3 D
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
