VB1218X - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VB1218X
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 316 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015(typ) Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для VB1218X
VB1218X Datasheet (PDF)
vb1218x.pdf

VB1218Xwww.VBsemi.comN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, g Qg (Typ.)Definition= 4.5V 8 TrenchFET Gen III Power MOSFETat V0.015 GS 2010nC 100 % Rg Tested0.018 7at V = 2.5V GS 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD(SOT-23)G 1G3 D
Другие MOSFET... UT2302L-AE3 , UT2955G , UT6898G-S08-R , UT8205AG-AG6 , UTT25P10L , UTT80N10 , VB1102M , VB1106K , 10N60 , VB1240B , VB1240X , VB1330X , VB162KX , VB2140 , VB2290A , VB2658 , VB562K .
History: GM8205D | IPD60R750E6 | FQPF6N70 | AP01L60J-HF | AP9980GJ | 2SK3529-01 | CSFR7N60D
History: GM8205D | IPD60R750E6 | FQPF6N70 | AP01L60J-HF | AP9980GJ | 2SK3529-01 | CSFR7N60D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet