VB1218X - описание и поиск аналогов

 

VB1218X. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VB1218X

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 316 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 typ Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для VB1218X

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB1218X даташит

 ..1. Size:1388K  cn vbsemi
 vb1218x.pdf pdf_icon

VB1218X

VB1218X www.VBsemi.com N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition = 4.5V 8 TrenchFET Gen III Power MOSFET at V 0.015 GS 20 10nC 100 % Rg Tested 0.018 7 at V = 2.5V GS 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D (SOT-23) G 1 G 3 D

Другие MOSFET... UT2302L-AE3 , UT2955G , UT6898G-S08-R , UT8205AG-AG6 , UTT25P10L , UTT80N10 , VB1102M , VB1106K , IRFP260N , VB1240B , VB1240X , VB1330X , VB162KX , VB2140 , VB2290A , VB2658 , VB562K .

History: AOC3860C | D2N60 | B2N65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.