VB1330X MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VB1330X
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 typ Ohm
Encapsulados: SOT23
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VB1330X datasheet
vb1330x.pdf
VB1330X www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.016 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 8.0 30 4 nC 100 % Rg Tested 0.023 at VGS = 4.5 V 6.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23) G 1
vb1330.pdf
VB1330 www.VBsemi.com N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23) G
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History: L2N600 | AGM402C | ME2604 | SWSI4N60D | VB162KX | SI2306DS
History: L2N600 | AGM402C | ME2604 | SWSI4N60D | VB162KX | SI2306DS
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Liste
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