VB1330X Todos los transistores

 

VB1330X MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VB1330X
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de VB1330X MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VB1330X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  cn vbsemi
 vb1330x.pdf pdf_icon

VB1330X

VB1330Xwww.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.016 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET8.030 4 nC 100 % Rg Tested0.023 at VGS = 4.5 V 6.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G 1

 8.1. Size:463K  cn vbsemi
 vb1330.pdf pdf_icon

VB1330X

VB1330www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G

Otros transistores... UT8205AG-AG6 , UTT25P10L , UTT80N10 , VB1102M , VB1106K , VB1218X , VB1240B , VB1240X , P55NF06 , VB162KX , VB2140 , VB2290A , VB2658 , VB562K , VB7101M , VB7322 , VB7638 .

History: STL90N3LLH6 | AP72T02GH | STU336S | GP1M023A050N | BL20N65-P | 2SK664

 

 
Back to Top

 


 
.