Справочник MOSFET. VB1330X

 

VB1330X Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VB1330X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для VB1330X

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB1330X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:572K  cn vbsemi
 vb1330x.pdf pdf_icon

VB1330X

VB1330Xwww.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.016 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET8.030 4 nC 100 % Rg Tested0.023 at VGS = 4.5 V 6.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G 1

 8.1. Size:463K  cn vbsemi
 vb1330.pdf pdf_icon

VB1330X

VB1330www.VBsemi.comN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G

Другие MOSFET... UT8205AG-AG6 , UTT25P10L , UTT80N10 , VB1102M , VB1106K , VB1218X , VB1240B , VB1240X , P55NF06 , VB162KX , VB2140 , VB2290A , VB2658 , VB562K , VB7101M , VB7322 , VB7638 .

History: CS27P06 | INK0103AU1 | APT10021JLL

 

 
Back to Top

 


 
.