VB162KX MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VB162KX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.03 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.48 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.91 typ Ohm
Encapsulados: SOT23
Búsqueda de reemplazo de VB162KX MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
VB162KX datasheet
vb162kx.pdf
VB162KX www.VBsemi.com N-Channel 60 V(D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 60 0.91 at VGS = 10 V 0.7 100 % Rg and UIS Tested TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D TO-236 (SOT-23) G 1 G 3 D S 2 S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATIN
vb162k.pdf
VB162K www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (mA) Definition 2.8 at VGS = 10 V 60 250 Low Threshold 2 V (typ.) Low Input Capacitance 25 pF Fast Switching Speed 25 ns Low Input and Output Leakage SOT-23 TrenchFET Power MOSFET 1200V ESD Protection G 1
Otros transistores... UTT25P10L , UTT80N10 , VB1102M , VB1106K , VB1218X , VB1240B , VB1240X , VB1330X , 10N60 , VB2140 , VB2290A , VB2658 , VB562K , VB7101M , VB7322 , VB7638 , VB8658 .
History: SWSI4N60D | AGM402C
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c2837 datasheet | 2n414 | c3998 | c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet
