VB162KX Todos los transistores

 

VB162KX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VB162KX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.03 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.91(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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VB162KX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:803K  cn vbsemi
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VB162KX

VB162KXwww.VBsemi.comN-Channel 60 V(D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition60 0.91 at VGS = 10 V 0.7 100 % Rg and UIS Tested TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDTO-236(SOT-23)G 1G3 DS 2STop ViewN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 8.1. Size:412K  cn vbsemi
 vb162k.pdf pdf_icon

VB162KX

VB162Kwww.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition2.8 at VGS = 10 V60 250 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output LeakageSOT-23 TrenchFET Power MOSFET 1200V ESD ProtectionG 1

Otros transistores... UTT25P10L , UTT80N10 , VB1102M , VB1106K , VB1218X , VB1240B , VB1240X , VB1330X , IRFB4227 , VB2140 , VB2290A , VB2658 , VB562K , VB7101M , VB7322 , VB7638 , VB8658 .

History: HGK220N25S | HFP2N60U | EFC2J004NUZ | HFD6N60U | DMT7N65 | NCE70T1K2K | APT50M50JLL

 

 
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