VB162KX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VB162KX
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.03 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.48 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.91(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de VB162KX MOSFET
VB162KX Datasheet (PDF)
vb162kx.pdf

VB162KXwww.VBsemi.comN-Channel 60 V(D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition60 0.91 at VGS = 10 V 0.7 100 % Rg and UIS Tested TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDTO-236(SOT-23)G 1G3 DS 2STop ViewN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATIN
vb162k.pdf

VB162Kwww.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition2.8 at VGS = 10 V60 250 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output LeakageSOT-23 TrenchFET Power MOSFET 1200V ESD ProtectionG 1
Otros transistores... UTT25P10L , UTT80N10 , VB1102M , VB1106K , VB1218X , VB1240B , VB1240X , VB1330X , IRFB4227 , VB2140 , VB2290A , VB2658 , VB562K , VB7101M , VB7322 , VB7638 , VB8658 .
History: OSG70R350KF | IPB80N06S2L-09 | FDB9403-F085
History: OSG70R350KF | IPB80N06S2L-09 | FDB9403-F085



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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