VB162KX - описание и поиск аналогов

 

VB162KX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VB162KX

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.03 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.91 typ Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для VB162KX

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB162KX даташит

 ..1. Size:803K  cn vbsemi
 vb162kx.pdf pdf_icon

VB162KX

VB162KX www.VBsemi.com N-Channel 60 V(D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 60 0.91 at VGS = 10 V 0.7 100 % Rg and UIS Tested TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D TO-236 (SOT-23) G 1 G 3 D S 2 S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 8.1. Size:412K  cn vbsemi
 vb162k.pdf pdf_icon

VB162KX

VB162K www.VBsemi.com N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (mA) Definition 2.8 at VGS = 10 V 60 250 Low Threshold 2 V (typ.) Low Input Capacitance 25 pF Fast Switching Speed 25 ns Low Input and Output Leakage SOT-23 TrenchFET Power MOSFET 1200V ESD Protection G 1

Другие MOSFET... UTT25P10L , UTT80N10 , VB1102M , VB1106K , VB1218X , VB1240B , VB1240X , VB1330X , 10N60 , VB2140 , VB2290A , VB2658 , VB562K , VB7101M , VB7322 , VB7638 , VB8658 .

History: E10P02 | APQ02SN65AH | SI4447DY

 

 

 

 

↑ Back to Top
.