Справочник MOSFET. VB162KX

 

VB162KX Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VB162KX
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.03 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.91(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для VB162KX

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB162KX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:803K  cn vbsemi
 vb162kx.pdf pdf_icon

VB162KX

VB162KXwww.VBsemi.comN-Channel 60 V(D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition60 0.91 at VGS = 10 V 0.7 100 % Rg and UIS Tested TrenchFET Power MOSFET Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDTO-236(SOT-23)G 1G3 DS 2STop ViewN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 8.1. Size:412K  cn vbsemi
 vb162k.pdf pdf_icon

VB162KX

VB162Kwww.VBsemi.comN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (mA)Definition2.8 at VGS = 10 V60 250 Low Threshold: 2 V (typ.) Low Input Capacitance: 25 pF Fast Switching Speed: 25 ns Low Input and Output LeakageSOT-23 TrenchFET Power MOSFET 1200V ESD ProtectionG 1

Другие MOSFET... UTT25P10L , UTT80N10 , VB1102M , VB1106K , VB1218X , VB1240B , VB1240X , VB1330X , IRFB4227 , VB2140 , VB2290A , VB2658 , VB562K , VB7101M , VB7322 , VB7638 , VB8658 .

History: STB11NM60 | R5013ANX | IRF1018ESPBF | IRF1018ESLPBF | FTK4828 | TMU2N60AZ | R6507ENJ

 

 
Back to Top

 


 
.