VB2290A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VB2290A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VB2290A

VB2290A Datasheet (PDF)

..1. Size:977K cn vbsemi
vb2290a.pdf

VB2290Awww.VBsemi.comP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.047 at VGS = - 10 V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.060 at VGS = - 4.5 V - 3.8 8 nC 100 % Rg Tested0.089 at VGS = - 2.5 V - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSTO-236(

8.1. Size:563K cn vbsemi
vb2290.pdf

VB2290www.VBsemi.comP-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 20 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.075 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 2.5 V 0.080 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECID (A) - 3.5Configuration SingleS(SOT-23)G 1 G

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Liste

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