VB2290A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VB2290A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 typ Ohm
Encapsulados: SOT23
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VB2290A datasheet
vb2290a.pdf
VB2290A www.VBsemi.com P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.047 at VGS = - 10 V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET - 20 0.060 at VGS = - 4.5 V - 3.8 8 nC 100 % Rg Tested 0.089 at VGS = - 2.5 V - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S TO-236 (
vb2290.pdf
VB2290 www.VBsemi.com P-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 PRODUCT SUMMARY Definition VDS (V) - 20 TrenchFET Power MOSFET RDS(on) ( ) at VGS = - 4.5 V 0.075 100 % Rg and UIS Tested RDS(on) ( ) at VGS = - 2.5 V 0.080 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC ID (A) - 3.5 Configuration Single S (SOT-23) G 1 G
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