Справочник MOSFET. VB2290A

 

VB2290A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VB2290A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для VB2290A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB2290A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:977K  cn vbsemi
 vb2290a.pdf pdf_icon

VB2290A

VB2290Awww.VBsemi.comP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.047 at VGS = - 10 V - 4.0 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.060 at VGS = - 4.5 V - 3.8 8 nC 100 % Rg Tested0.089 at VGS = - 2.5 V - 3.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECSTO-236(

 8.1. Size:563K  cn vbsemi
 vb2290.pdf pdf_icon

VB2290A

VB2290www.VBsemi.comP-Channel 20 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21PRODUCT SUMMARYDefinitionVDS (V) - 20 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.075 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = - 2.5 V 0.080 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECID (A) - 3.5Configuration SingleS(SOT-23)G 1 G

Другие MOSFET... VB1102M , VB1106K , VB1218X , VB1240B , VB1240X , VB1330X , VB162KX , VB2140 , IRFP250N , VB2658 , VB562K , VB7101M , VB7322 , VB7638 , VB8658 , VB9220 , VBA1101N .

History: CEB30N3 | SMK0825FC | APT34N80B2C3 | 2N7218U | STP18NM60N | NCE0202M | SWD4N65DD

 

 
Back to Top

 


 
.