VB2658 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VB2658
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de VB2658 MOSFET
VB2658 Datasheet (PDF)
vb2658.pdf

VB2658www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;f = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.04RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 12 P-ChannelQgs (nC) 3.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 5.1 Dynamic dV/d
Otros transistores... VB1106K , VB1218X , VB1240B , VB1240X , VB1330X , VB162KX , VB2140 , VB2290A , IRF9540 , VB562K , VB7101M , VB7322 , VB7638 , VB8658 , VB9220 , VBA1101N , VBA1203M .
History: WNM7002 | SNN2515D | FCH041N65F-F085 | 8958 | SSM9926TGO | KIA5N60E | IRFR9210PBF
History: WNM7002 | SNN2515D | FCH041N65F-F085 | 8958 | SSM9926TGO | KIA5N60E | IRFR9210PBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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