VB2658. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: VB2658
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 typ Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для VB2658
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
VB2658 даташит
vb2658.pdf
VB2658 www.VBsemi.com P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 60 Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.04 RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 12 P-Channel Qgs (nC) 3.8 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 5.1 Dynamic dV/d
Другие MOSFET... VB1106K , VB1218X , VB1240B , VB1240X , VB1330X , VB162KX , VB2140 , VB2290A , 2N7000 , VB562K , VB7101M , VB7322 , VB7638 , VB8658 , VB9220 , VBA1101N , VBA1203M .
History: FDN86246 | ALD1103DB | JVL102Y | STM4639 | AOD423 | OSG65R1K4DF | BSC080N03MSG
History: FDN86246 | ALD1103DB | JVL102Y | STM4639 | AOD423 | OSG65R1K4DF | BSC080N03MSG
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y

