Справочник MOSFET. VB2658

 

VB2658 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VB2658
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для VB2658

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB2658 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1147K  cn vbsemi
 vb2658.pdf pdf_icon

VB2658

VB2658www.VBsemi.comP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 60Available High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;f = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.04RoHS*COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 12 P-ChannelQgs (nC) 3.8 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 5.1 Dynamic dV/d

Другие MOSFET... VB1106K , VB1218X , VB1240B , VB1240X , VB1330X , VB162KX , VB2140 , VB2290A , IRF9540 , VB562K , VB7101M , VB7322 , VB7638 , VB8658 , VB9220 , VBA1101N , VBA1203M .

History: TMU2N60AZ | R5013ANX

 

 
Back to Top

 


 
.