VB562K Todos los transistores

 

VB562K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VB562K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.700(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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VB562K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:643K  cn vbsemi
 vb562k.pdf pdf_icon

VB562K

VB562Kwww.VBsemi.comN- and P-Channel 6 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.660 at VGS = 10 V 0.80 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 600.810 at VGS = 4.5 V 0.75 100 % Rg Tested1.970 at VGS = - 10 V - 0.55 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 602.350 at

Otros transistores... VB1218X , VB1240B , VB1240X , VB1330X , VB162KX , VB2140 , VB2290A , VB2658 , IRFB4115 , VB7101M , VB7322 , VB7638 , VB8658 , VB9220 , VBA1101N , VBA1203M , VBA1210 .

 

 
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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20

 

 

 
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