VB562K Todos los transistores

 

VB562K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VB562K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.700(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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VB562K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:643K  cn vbsemi
 vb562k.pdf pdf_icon

VB562K

VB562Kwww.VBsemi.comN- and P-Channel 6 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.660 at VGS = 10 V 0.80 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 600.810 at VGS = 4.5 V 0.75 100 % Rg Tested1.970 at VGS = - 10 V - 0.55 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 602.350 at

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History: PTP9506E | STFW6N120K3 | FTP06N60C | IXFB110N60P3 | 2SK3264-01MR | 2N4416A | IRFP260MPBF

 

 
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