VB562K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VB562K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.700 typ Ohm
Encapsulados: TSOP6
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VB562K datasheet
vb562k.pdf
VB562K www.VBsemi.com N- and P-Channel 6 V (D-S) MOSFET 0 FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.660 at VGS = 10 V 0.80 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 0.810 at VGS = 4.5 V 0.75 100 % Rg Tested 1.970 at VGS = - 10 V - 0.55 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC P-Channel - 60 2.350 at
Otros transistores... VB1218X , VB1240B , VB1240X , VB1330X , VB162KX , VB2140 , VB2290A , VB2658 , P55NF06 , VB7101M , VB7322 , VB7638 , VB8658 , VB9220 , VBA1101N , VBA1203M , VBA1210 .
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