VB562K - описание и поиск аналогов

 

VB562K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VB562K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.700 typ Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для VB562K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB562K даташит

 ..1. Size:643K  cn vbsemi
 vb562k.pdf pdf_icon

VB562K

VB562K www.VBsemi.com N- and P-Channel 6 V (D-S) MOSFET 0 FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.660 at VGS = 10 V 0.80 TrenchFET Power MOSFET N-Channel 60 0.810 at VGS = 4.5 V 0.75 100 % Rg Tested 1.970 at VGS = - 10 V - 0.55 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC P-Channel - 60 2.350 at

Другие MOSFET... VB1218X , VB1240B , VB1240X , VB1330X , VB162KX , VB2140 , VB2290A , VB2658 , P55NF06 , VB7101M , VB7322 , VB7638 , VB8658 , VB9220 , VBA1101N , VBA1203M , VBA1210 .

History: DMJ70H1D0SV3 | AGM60P90D | 2SK749 | 2SK1405

 

 

 

 

↑ Back to Top
.