Справочник MOSFET. VB562K

 

VB562K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VB562K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.700(typ) Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для VB562K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VB562K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:643K  cn vbsemi
 vb562k.pdf pdf_icon

VB562K

VB562Kwww.VBsemi.comN- and P-Channel 6 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.660 at VGS = 10 V 0.80 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 600.810 at VGS = 4.5 V 0.75 100 % Rg Tested1.970 at VGS = - 10 V - 0.55 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 602.350 at

Другие MOSFET... VB1218X , VB1240B , VB1240X , VB1330X , VB162KX , VB2140 , VB2290A , VB2658 , IRFB4115 , VB7101M , VB7322 , VB7638 , VB8658 , VB9220 , VBA1101N , VBA1203M , VBA1210 .

History: SE200100G | GSM4804 | SM1A08NSV

 

 
Back to Top

 


 
.