VB7101M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VB7101M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 8.2 nC
   Tiempo de subida (tr): 20 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.095(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6

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VB7101M Datasheet (PDF)

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vb7101m.pdf

VB7101Mwww.VBsemi.comN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.095 at VGS = 10 V 3.2 Low On-Resistance100 4.2 nC0.105 at VGS = 4.5 V 3.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6APPLICATIONS

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Liste

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